高密度MRAM作為新興內存的潛力取代DRAM和閃存等現有設備,通常使它已經成功取代ToggleMRAM形式的成熟技術的陰影。

對于Everspin而言，ToggleMRAM的成功正在幫助推動其在其他產品領域的雄心壯志，并且最近宣布了其新的32MbToggleMRAM，其容量是其當前解決方案的兩倍。Everspin表示，它旨在支持需要更高密度選項的關鍵應用，例如在嵌入式系統(tǒng)和物聯網設備中存儲配置，設置和數據記錄，以及預測5G網絡驅動的設備需求。

那么，為什么不讓客戶使用兩個16Mb設備呢？

新的更高容量的ToggleMRAM可以滿足客戶的需求，這些客戶在板上放置了16兆，并在此過程中增加了復雜性并占用了更多空間。ToggleMRAM提供了簡便性，特別是當它替換SRAM和EEPROM的組合時，將其描述為“kluge修復程序”，尤其是在SRAM中添加了化學電池之后。從（設計）簡單性以及設備的長期可靠性的角度來看，真的沒有可比性。

Everspin的新型32MbToggleMRAM旨在滿足嵌入式系統(tǒng)，物聯網設備以及5G網絡設備中對配置，設置和數據記錄的不斷增長的存儲要求。

盡管5G仍在加速發(fā)展并仍處于測試模式，但Everspin希望它在未來兩年內從連接的設備的角度來看爆炸式增長，并且推動這些設備的數據和代碼容量需求。僅這些設備的數據流就需要越來越多的持久性以實現斷電和數據記錄。

Everspin的最新ToggleMRAM已在游戲，工業(yè)，軍事和航空航天市場與客戶一起采樣，所有這些產品都利用了該產品的無限循環(huán)耐久性，可在-40C至+125C的各種溫度范圍內進行讀寫。

除了容量更高之外，32MbToggleMRAM還保持了EVERSPIN所有ToggleMRAM設備中可用的快速讀寫訪問速度和20年的數據保留，該公司還發(fā)布了新的2Mb和8Mb切換數據容量要求較低的客戶，以補充現有的1Mb，4Mb和16Mb設備，這些設備均具有串行和并行接口以及幾種流行的封裝選項。

許多行業(yè)談論都圍繞高密度MRAM中的STT進行，而忘記了Toggle已經存在了一段時間。Everspin于2006年首次投入生產，對于擁有如此龐大和多樣化客戶群的公司而言，Everspin具有非常廣泛的產品組合。它為我們提供了在更先進，更高密度的STT上進行研發(fā)的收入。

當今Toggle MRAM的主要用途是在需要維護數據的系統(tǒng)中替換SRAM電池組合，即使電源關閉或出現故障也是如此。在暴露于大量輻射的應用中，特別是在衛(wèi)星中，它也是SRAM或NOR閃存的絕佳替代品。輻射消除了當今主流技術的負擔。

STT-MRAM的開發(fā)是為了使MRAM的擴展比Toggle以往任何時候都小。Everspin的低密度舊零件是使用130納米ToggleMRAM制造的，而該公司的較新的90納米零件則使用STT。最新的ToggleMRAM產品的主要值得注意的更新是密度。

MRAM引起了代工廠的極大興趣，因為它們無法制造小于28nm的NOR閃存，并且客戶正在尋找替代品，而Everspin正在幫助這些代工廠在其標準CMOS邏輯工藝上推出MRAM。使用MRAM制作的芯片越多，MRAM的生產效率就越高，而其價格卻越便宜。這一切都是靠自己為生的，因為它越便宜，它就會賣出更多。

盡管STT-MRAM的規(guī)?？梢员萒oggle小，并且持續(xù)的工藝縮減將使MRAM的成本降到SRAM，NOR和DRAM以下，而NAND可能仍在很長一段時間內比MRAM便宜。同時Everspin不僅是領先的ToggleMRAM播放器，該公司還是唯一一家銷售分立的，獨立的MRAM芯片的公司。