2019年3月13-15日，IOTE 2019第十一屆國際物聯(lián)網(wǎng)展將在蘇州國際博覽中心拉開帷幕，屆時物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)企業(yè)將帶來精品展示，與行業(yè)同仁共襄行業(yè)盛會。與您攜手，創(chuàng)意未來——富士通電子元器件(上海)有限公司將蒞臨此次盛會，并為大家?guī)砥渥钚碌某晒故尽?/p>

富士通電子元器件(上海)有限公司

蘇州國際博覽中心

2019年3月13-15日

展位號：B146

關于富士通

富士通電子元器件(上海)有限公司是富士通在中國的半導體業(yè)務總部，于2003年8月成立，在北京、深圳、大連等地均設有分公司，負責統(tǒng)籌富士通在中國半導體的銷售業(yè)務。

富士通電子元器件(上海)有限公司的主要銷售產(chǎn)品包括Custom SoCs(ASICs)、代工服務、專用標準產(chǎn)品(ASSPs) 、鐵電隨機存儲器繼電器、GaN (氮化鎵)、MCU和電源功率器件，它們是以獨立產(chǎn)品及配套解決方案的形式提供給客戶，并廣泛應用于高性能光通信網(wǎng)絡設備、手持移動終端、影像設備、汽車、工業(yè)控制、家電、穿戴式設備、醫(yī)療電子、電力電表、安防等領域。

公司產(chǎn)品推介

一、FRAM

FRAM(鐵電存儲器)具有像E2PROM一樣的非易失性的優(yōu)勢 ，在沒有電源的情況下可以保存數(shù)據(jù)，用于數(shù)據(jù)存儲。FRAM有兩個產(chǎn)品系列，串行接口(I2C，SPI)和并行接口產(chǎn)品。采用串行I/F的FRAM可以用E2PROM或串行閃存來代替，而采用并行I/F的產(chǎn)品可以用低功耗SRAM或Pseudo SRAM (PSRAM)來代替。富士通半導體集團控制著FRAM的整個生產(chǎn)程序;在日本的芯片開發(fā)和量產(chǎn)及組裝程序。富士通公司保證了FRAM產(chǎn)品的高質量和穩(wěn)定供應。自從1999年開始，F(xiàn)RAM產(chǎn)品已經(jīng)連續(xù)供應12年以上，并且正在為許多客戶提供所需的高可靠性。FRAM的4Kb至4Mb產(chǎn)品現(xiàn)已投入量產(chǎn)。富士通正在為客戶評估提供工程研發(fā)樣品或生產(chǎn)樣品。

二、FRAM RFID

利用FRAM的低功耗，高速寫入，放射線耐性等特點,富士通研發(fā)出獨具特色的FRAM RFID芯片，面向FA，生化，醫(yī)療放射線殺菌，嵌入式電子設備等領域提供創(chuàng)新的應用解決方案。針對物聯(lián)網(wǎng)應用的無線無電池的市場需求，最新推出可無線供電的嵌入式創(chuàng)新RFID芯片，并將應用在無源電子紙，鍵盤，遙控器，傳感器等各種創(chuàng)新產(chǎn)品上。

適用于RFID標記的富士通LSI的主要特性

· 高速寫入性能：通過嵌入式FRAM的高性能增強了寫入操作的吞吐量。

· 穩(wěn)定的通信距離：在低功耗模式下寫入，在寫入和讀取操作上都實現(xiàn)了相同的通信距離。相比之下，E2PROM的標記在寫入操作上消耗了更大量的功率，讓通信距離變得更短。

· 高密度存儲器：高速寫入特性使其在標記上成為大容量存儲器。但是標記嵌入式E2PROM的速度還不夠快，不足以采用大容量存儲器。

· 耐久力長：保證了最高1百萬兆次的讀/寫操作，這一特性實現(xiàn)了標識的長期應用或復用。

· 抗輻射性強：即使經(jīng)過伽馬射線的照射或干擾，還是能保持數(shù)據(jù)。同時，嵌入標記的E2PROM從理論上講，抗輻射能力較弱。

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