此前，三星電子和 SK Hynix 去年生產(chǎn)了第一批 128 層 NAND 閃存產(chǎn)品，一旦 YMTC 按計(jì)劃生產(chǎn) 128 層產(chǎn)品，韓國(guó)和中國(guó)公司之間的技術(shù)差距可能會(huì)小于兩年。

在 2015 年中國(guó)政府就宣布，中國(guó)將在 10 年內(nèi)實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體行業(yè)的自給自足。為此，中國(guó)的投資額已達(dá)一萬(wàn)億元人民幣，并且還在繼續(xù)努力。三星電子和 SK 海力士擔(dān)心中國(guó)大力投資半導(dǎo)體行業(yè)的這一舉動(dòng)，讓其市場(chǎng)份額和銷(xiāo)售下降。

清華紫光集團(tuán)正在將其業(yè)務(wù)擴(kuò)展到移動(dòng)應(yīng)用處理器。該公司于 2013 年收購(gòu)了展訊和 RDA Microelectronics，以增強(qiáng)其系統(tǒng)芯片設(shè)計(jì)能力。清華紫光集團(tuán)的 IC 設(shè)計(jì)公司 Unisoc 計(jì)劃通過(guò)臺(tái)積電生產(chǎn) 6 納米 5G 調(diào)制解調(diào)器和應(yīng)用處理器。

Unisoc 是應(yīng)用處理器行業(yè)新銳，它的 6 納米應(yīng)用處理器設(shè)計(jì)需要基于多方支持才能落地，因?yàn)槟壳爸挥猩贁?shù)公司，例如高通，三星電子，蘋(píng)果和華為，能夠完成相應(yīng)設(shè)計(jì)。

負(fù)責(zé)清華紫光集團(tuán) NAND 閃存業(yè)務(wù)的 YMTC，其總部和制造工廠位于武漢，在武漢封城的兩個(gè)月里，YMTC 照常運(yùn)轉(zhuǎn)著工廠，沒(méi)有中國(guó)政府的協(xié)助，這是不可能的。

三星電子和 SK Hynix 在 2019 年第四季度分別占全球 NAND 閃存市場(chǎng)的 35.5％和 9.6％。在此期間，中國(guó)幾乎占據(jù)了全球半導(dǎo)體需求的一半。去年，這兩家韓國(guó)公司在中國(guó)的銷(xiāo)售額分別為 380,405 億韓元和 125,702 億韓元。SK 海力士在中國(guó)的銷(xiāo)售額占該公司總銷(xiāo)售額的比例為 46％。在全球 NAND 閃存市場(chǎng)中，包括 YMTC 在內(nèi)的中國(guó)公司可能會(huì)做出積極努力，趕上韓國(guó)公司，因?yàn)樵撌袌?chǎng)的進(jìn)入門(mén)檻相對(duì)低于 DRAM 市場(chǎng)。此外，美光科技即將生產(chǎn) 128 層 3D NAND 閃存產(chǎn)品，英特爾有望在今年內(nèi)制造出業(yè)內(nèi)首批 144 層 NAND 閃存產(chǎn)品。

三星電子通過(guò)增加投資來(lái)應(yīng)對(duì)挑戰(zhàn)。例如，自 2017 年以來(lái)，該公司已在其位于中國(guó)西安的第二座工廠投資了 70 億美元，并計(jì)劃增加 80 億美元的投資，一旦完成投資，該工廠每月 NAND 閃存產(chǎn)量（生產(chǎn) 90 層以上的 3D NAND 閃存芯片）將至少達(dá)到 130,000 個(gè)。SK 海力士還計(jì)劃通過(guò)增加投資來(lái)“阻止”中國(guó)公司。在過(guò)去三年中，該公司在該行業(yè)的年均投資超過(guò) 13 萬(wàn)億韓元。

實(shí)際上，中國(guó)政府的 1 萬(wàn)億元投資不足以取代三星電子和 SK 海力士。從 2017 年到 2019 年，韓國(guó)公司在該行業(yè)的投資分別為 7.3 萬(wàn)億韓元和 4 萬(wàn)億韓元。同時(shí)，中國(guó)政府的投資約為 10 萬(wàn)億韓元，為期 10 年。換句話說(shuō)，中國(guó)半導(dǎo)體公司需要更多的財(cái)務(wù)資源。

這就是為什么有些“專家”指出，中國(guó)公司將通過(guò)到處挖掘?qū)I(yè)人才、稅收優(yōu)惠等措施實(shí)現(xiàn)快速跟進(jìn)策略，而中國(guó)政府將繼續(xù)支持這些公司，直到它們實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)并占據(jù)相當(dāng)?shù)氖袌?chǎng)份額，例如，盡管相關(guān)芯片精度較低，但中國(guó) PC 制造商仍使用這些公司的 DRAM 和 NAND 閃存芯片。