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中國企業(yè)開始成為存儲市場的新興力量

2020-11-26 08:56 半導(dǎo)體行業(yè)觀察

導(dǎo)讀:中國的中央和地方政府與私人企業(yè)合作,已投資數(shù)十億美元發(fā)展本地半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),以彌合國內(nèi)生產(chǎn)與消費(fèi)之間的差距。

半導(dǎo)體存儲器是現(xiàn)代以數(shù)據(jù)為中心社會的關(guān)鍵戰(zhàn)略市場,并受到重要的大趨勢的推動,這些大趨勢包括移動性,云計算,人工智能(AI)和物聯(lián)網(wǎng)(IoT)。NAND(非易失性)和DRAM(易失性)是當(dāng)前的主流存儲器,分別用作智能手機(jī),固態(tài)硬盤,PC,服務(wù)器和車輛等廣泛應(yīng)用和系統(tǒng)的存儲和工作的存儲器。2019年,NAND和DRAM占整體獨(dú)立存儲器市場的96%,合并收入為1070億美元。

中國是存儲設(shè)備的重要市場,并且由于移動,汽車和服務(wù)器市場的需求旺盛,其需求繼續(xù)保持強(qiáng)勁增長。值得注意的是,中國購買了全球制造的所有NAND和DRAM芯片的1/3以上。

中國的中央和地方政府與私人企業(yè)合作,已投資數(shù)十億美元發(fā)展本地半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),以彌合國內(nèi)生產(chǎn)與消費(fèi)之間的差距。早在2015年,中國政府就啟動了一項大規(guī)模資助計劃,以將其國內(nèi)半導(dǎo)體IC生產(chǎn)從2015年的不到20%提高到2025年的70%。大約20個地方政府設(shè)立了指導(dǎo)基金。達(dá)成總價值超過900億美元的總體投資計劃。中國一直在努力與這一雄心勃勃的計劃保持同步。

但是我們必須認(rèn)識到,打造和運(yùn)營與市場領(lǐng)先者相同的技術(shù)能力的半導(dǎo)體晶圓廠并不是一個僅通過投入資金就能解決的問題。特別地,由于3D NAND和DRAM設(shè)備的高制造復(fù)雜性,存儲器是一項非常具有競爭性和挑戰(zhàn)性的業(yè)務(wù)。應(yīng)考慮的主要挑戰(zhàn)之一是對高級技術(shù)IP和工程人才的需求。美光,三星和SK hynix等外國公司不接受前沿存儲器產(chǎn)品的技術(shù)許可或與當(dāng)?shù)毓镜暮献骰锇殛P(guān)系。而且,收購?fù)鈬鴮?shí)體的交易通常受到全世界外國政府的阻止。

如今,中國OEM必須從領(lǐng)先的國際供應(yīng)商那里購買其大部分NAND和DRAM芯片,例如美光,英特爾和Western Digital(美國),三星和SK hynix(韓國)以及Kioxia(日本)。這些參與者在技術(shù)開發(fā)方面處于領(lǐng)先地位,并制定了快速而積極的擴(kuò)展計劃。在2019年,同時提供NAND和DRAM產(chǎn)品的制造商(例如三星,SK hynix和美光)將其存儲芯片生產(chǎn)的30%以上賣給了位于中國的公司,以及純NAND廠商(例如Kioxia,Western Digital和英特爾–平均將其NAND生產(chǎn)的30%銷往中國。

在與西方的貿(mào)易緊張關(guān)系不斷升級的背景下,在中國建立自給自足的半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)的進(jìn)程已大大加快。然而,領(lǐng)先的半導(dǎo)體國家可以通過貿(mào)易手段很容易地限制其發(fā)展。因為中國半導(dǎo)體制造商仙子啊依靠外國公司來提供最新的晶圓廠設(shè)備(WFE),因為本地設(shè)備供應(yīng)商無法提供領(lǐng)先的制造工具,而且與全球同行的技術(shù)差距太大,無法在幾年的時間里消除差距。

因此,對于美國(應(yīng)用材料,Lam Research,KLA Tencor)以及歐洲(ASML,EVG)和日本(Canon和Tokyo Electron)的巨型半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)商來說,預(yù)計中國仍將是其未來多年的主要市場,美國政府對芯片制造技術(shù)的貿(mào)易限制將極大地限制此類WFE玩家的可服務(wù)市場,并將對中國的存儲器制造能力產(chǎn)生重大影響。

除此以外,如果美國存儲器制造商被禁止向中國出售產(chǎn)品,他們將不得不尋找新客戶來購買他們的產(chǎn)品,而韓國或日本的其他存儲器制造商將看到中國的需求激增。隨著可以從中購買的公司數(shù)量減少,中國公司可能會看到內(nèi)存價格上漲的趨勢。

中國存儲公司概述

中國有幾個正在進(jìn)行的半導(dǎo)體存儲項目,當(dāng)中涉及國內(nèi)外參與者。SK hynix,三星和英特爾(最近出售給SK海力士)是主要的外國芯片制造商,在中國擁有大量的NAND和DRAM生產(chǎn)。SK hynix的無錫DRAM晶圓廠每月的裝機(jī)容量為200,000個晶圓(WPM),而三星和英特爾的3D NAND晶圓廠可分別生產(chǎn)120,000 WPM(西安)和65,000 WPM(大連)。

兩家最具競爭力的本地公司是長江存儲(YMTC)和長鑫存儲(CXMT)。在NAND業(yè)務(wù)中,長江存儲在中國處于領(lǐng)先地位。目前,該公司正在國內(nèi)小批量運(yùn)送64LNAND(包括SSD),預(yù)計在2021年將有128L產(chǎn)品投入生產(chǎn)和出貨。至于DRAM,CXMT是中國最先進(jìn)的DRAM公司,已憑借基于10G1制程的8Gb DDR4產(chǎn)品進(jìn)入市場。2019年,YMTC和CXMT均在半導(dǎo)體制造設(shè)備上花費(fèi)了巨額資金,為全球WFE供應(yīng)商提供了不少收入。

在DRAM業(yè)務(wù)中,還有兩家值得一提的公司:福建晉華集成電路有限公司(JHICC)和清華紫光集團(tuán)。JHICC一直在與臺灣聯(lián)華電子合作開發(fā)DRAM,但在2018年10月因為美國的起訴,而遭受了重大挫折。

清華紫光集團(tuán)是著名的國有控股工業(yè)集團(tuán)和投資集團(tuán),在政府中國集成電路產(chǎn)業(yè)的框架內(nèi)運(yùn)作推廣策略。它擁有對多家公司的控制權(quán),其中包括YMTC,西安UniIC半導(dǎo)體,UNIC內(nèi)存技術(shù)(最近已轉(zhuǎn)移到其他子公司)以及UnimosMicroelectronics(以前稱為ChipMos,上海)。

盡管中國開始發(fā)展其NAND和DRAM產(chǎn)業(yè),但由于當(dāng)?shù)毓?yīng)鏈的完善發(fā)展以及本地主要無晶圓制造商GigaDevice Semiconductor的推動,中國已成為NOR閃存業(yè)務(wù)的領(lǐng)先國家之一。在2019年,GIGADEVICE的SPINOR業(yè)務(wù)排名全球第三,而在全球的Nor Flash業(yè)務(wù)中,GD排在華邦,旺宏電子和賽普拉斯之后,位居全球第四。

中國還啟動了一些新項目,以推動新型非易失性存儲器(NVM)技術(shù)的商業(yè)化,例如自旋轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)矩磁阻RAM(STT-MRAM),相變存儲器(PCM)和電阻性RAM(ReRAM)。

長江存儲成立于2016年,資金總額為240億美元。該公司總部位于武漢,在中國經(jīng)營著最先進(jìn)的3D NAND晶圓廠,并計劃將長期生產(chǎn)目標(biāo)定為30萬WPM。YMTC擁有約4,000名員工,由清華紫光集團(tuán)控制,清華紫光集團(tuán)持有該公司51%的股份。成立后不久,YMTC收購了武漢新芯半導(dǎo)體制造有限公司(XMC)代工廠,以利用其300mm晶圓廠。XMC是中國第一家基于TSV技術(shù)的圖像傳感器制造商,并一直與Spansion(后來與Cypress合并)合作開發(fā)和制造32L NAND器件。

YMTC的一個重要里程碑是2018年推出了Xtacking 技術(shù),自2012年以來,XMC就一直在使用硅片間堆疊技術(shù)。在Xtacking 方法中,首先在兩個不同的die上制造3D NAND存儲器陣列和CMOS邏輯電路,然后進(jìn)行混合鍵合工藝用于將兩個部分放在一起。Xtacking 聲稱能夠?qū)崿F(xiàn)更高的I / O速度,更大的每個die位密度,更短的開發(fā)時間和更快的制造周期。

2019年9月,YMTC宣布量產(chǎn)中國首款基于Xtacking 的64L 3D NAND 。從那時起,YMTC計劃跳過96L技術(shù),轉(zhuǎn)而使用128L技術(shù),以趕上即將增加第一代1xxL 3D NAND產(chǎn)量的國際NAND廠商。值得注意的是,YMTC已開始開發(fā)128L NAND,其128L 1.33Tb QLC 3D NAND已通過多個控制器合作伙伴的樣品驗證。

總體而言,2020年1月爆發(fā)的COVID-19大流行似乎并未對YMTC的路線圖產(chǎn)生重大影響。

2020年5月,Phison宣布其控制器支持YMTC的3D NAND,從而為基于中國NAND的SSD進(jìn)入市場鋪平了道路。YMTC也可能很快推出基于64L 3D NAND芯片的自有品牌SSD,最初瞄準(zhǔn)中國的PC OEM。到目前為止,這些芯片已被兩家中國公司采用:Longsys Electronics用于其Lexar品牌的固態(tài)硬盤和Power Electronic Technology用于其Gloway品牌的固態(tài)硬盤。

在當(dāng)前激烈的價格競爭中,YMTC進(jìn)入NAND市場被認(rèn)為是新一輪市場整合的可能觸發(fā)因素。不論其3D NAND芯片的質(zhì)量水平如何,YMTC都能獲得中國品牌廠商的購買支持。同時,作為中國的“冠軍”,它將獲得中國當(dāng)?shù)貜?qiáng)有力的支持。

長鑫存儲于2017年在安徽省合肥市成立。該公司隸屬于政府所有的合肥工業(yè)投資集團(tuán)(HIIG)。早在2017年,CXMT宣布以72億美元的價格收購300mm DRAM晶圓廠,目標(biāo)產(chǎn)能為120,000 WPM。CXMT在2019年第三季度完成了第一階段設(shè)施(Fab 1)的建設(shè),并引進(jìn)了用于生產(chǎn)40,000 WPM的設(shè)備。它擁有大約3,000名員工,其中超過75%是從事與研發(fā)相關(guān)項目的工程師。CXMT已獲得了奇夢達(dá)最初設(shè)計的IP許可。CXMT可以訪問1000萬份文檔,涉及模型,設(shè)計,制造,控制,質(zhì)量系統(tǒng),OPC,測試模式,包裝等。2020年4月,CXMT還與Rambus簽署了許可協(xié)議。

CXMT的最初目標(biāo)是解決一些國內(nèi)DRAM需求。除Longsys和Gloway外,第二大內(nèi)存模塊供應(yīng)商ADATA Technology也已將CXMT的8Gb DDR4芯片用于面向中國臺式機(jī)/筆記本電腦市場的DIMM產(chǎn)品。

據(jù)報道CXMT計劃在2021年之前完成其17 nm制程技術(shù)的開發(fā)。該公司還概述了未來的制程:在中期,它將使用HKMG和氣隙位線 (air-gap bit lin) 技術(shù),而從長遠(yuǎn)來看,它將使用柱狀電容器,柵極全能晶體管以及(EUV)光刻。但是,長鑫存儲未來的挑戰(zhàn)依然巨大。

兆易創(chuàng)新成立于2005年,總部位于北京,采用無晶圓廠模式運(yùn)作,與代工伙伴以及組裝測試廠保持著牢固的關(guān)系。GigaDevice及其代工合作伙伴半導(dǎo)體制造國際有限公司(SMIC)正在以至少25,000 WPM的產(chǎn)能為中國NOR市場提供動力。當(dāng)前的產(chǎn)品組合包括NOR(512Kb – 512Mb,現(xiàn)在有1-2Gb采樣),SLC NAND(1-8Gb)存儲器和微控制器(MCU)。GigaDevice還與Rambus建立了一家名為Reliance Memory的合資公司,專注于新興的存儲器,主要是電阻RAM(ReRAM)。最近,它從Rambus和Reliance Memory獲得了180多項與ReRAM技術(shù)相關(guān)的專利和應(yīng)用程序的許可證。

GigaDevice經(jīng)歷了強(qiáng)勁的增長,2019年的收入增長了46%左右。計劃投資4.6億美元,并計劃進(jìn)一步擴(kuò)大業(yè)務(wù)。早在2017年,它就與合肥工業(yè)投資集團(tuán)(HIIG)和CXMT達(dá)成了一項為期5年的協(xié)議,開發(fā)總投資額為27億美元(19%的HIIG和20%的GigaDevice)的19nm DRAM技術(shù)。對DRAM技術(shù)的訪問,再加上其現(xiàn)有的NOR閃存和SLC NAND業(yè)務(wù),可能會使GigaDevice成為中國存儲器行業(yè)的一支新力量。

中國準(zhǔn)備從3D NAND開始改變內(nèi)存市場格局

中國廠商開始逐漸成為存儲市場的新興力量,并可能引發(fā)存儲器業(yè)務(wù)的深刻變化。得益于政府投資基金的大量資金支持以及研發(fā)和制造的領(lǐng)先優(yōu)勢,YMTC在所有宣布的中國記憶體生產(chǎn)商中最早取得成功。Yole預(yù)計YMTC的大量NAND產(chǎn)量(?4%)可能會在2021年進(jìn)入市場,而DRAM需要更長的時間。因為制造DRAM晶圓非常困難,而且中國要想與其他行業(yè)保持競爭力,就可能需要更長的時間。作為中國最先進(jìn)的DRAM制造商,CXMT將在2020年提高19nm工藝(10G1)的產(chǎn)量。

如今,顯然已經(jīng)將主流內(nèi)存放在優(yōu)先位置,這些內(nèi)存對于不斷增長的數(shù)據(jù)中心和移動業(yè)務(wù)至關(guān)重要。3D NAND和DRAM項目已占據(jù)了大部分資源,而其他內(nèi)存技術(shù)的投資要么相當(dāng)有限,要么主要集中在最有前途的公司。

但是,中國并沒有忽視所有新興的NVM業(yè)務(wù),并啟動了許多旨在獲取新的內(nèi)存專業(yè)知識和IP并開發(fā)新技術(shù)工藝和產(chǎn)品的項目,為整個半導(dǎo)體內(nèi)存業(yè)務(wù)的下一步發(fā)展做好準(zhǔn)備。

同時,由于發(fā)達(dá)的本地供應(yīng)鏈和GigaDevice的活動,獨(dú)立的NOR閃存將仍然是中國最堅固的存儲器業(yè)務(wù)。