盡管2021年將完全損失以往的第二大客戶華為，但是全球半導(dǎo)體缺貨使得臺(tái)積電業(yè)績不降反增，今年預(yù)計(jì)至少砸下300億美元擴(kuò)充芯片產(chǎn)能。

臺(tái)積電此前公布的2021年度資本開支是250-280億美元，這已經(jīng)是大幅增加后的結(jié)果了，畢竟2020年資本開支才170億美元，最初預(yù)計(jì)今年也就是200億美元。

現(xiàn)在臺(tái)積電有可能在說法會(huì)上宣布增加投資，全年預(yù)計(jì)投資300-310億美元，折合人民幣至少2000億，相比此前的計(jì)劃增加了10-20%。

此前臺(tái)積電宣布在3年內(nèi)投資1000億美元擴(kuò)張半導(dǎo)體產(chǎn)能，這次調(diào)整就是新計(jì)劃中的第一步。

300多億資金中，其中大部分都是用于先進(jìn)工藝產(chǎn)能，除了已經(jīng)量產(chǎn)的7nm、5nm工藝之外，3nm工藝、2nm工藝也會(huì)加快，其中3nm工廠明年上半年裝機(jī)，下半年量產(chǎn)。

2nm工藝目前還在研發(fā)階段，進(jìn)展順利，2nm晶圓廠明年在新竹動(dòng)工開建。

針對目前更為緊缺的成熟工藝，臺(tái)積電預(yù)計(jì)投資至少100億美元擴(kuò)產(chǎn)，主要提升28nm以及40nm以上等成熟工藝。