當(dāng)前，量產(chǎn)的晶體管已經(jīng)進(jìn)入4nm尺度，3nm研發(fā)也已經(jīng)凍結(jié)進(jìn)入試產(chǎn)。

在11月于日本舉辦的線(xiàn)上ITF大會(huì)上，半導(dǎo)體行業(yè)大腦imec（比利時(shí)微電子研究中心）公布了未來(lái)十年的技術(shù)藍(lán)圖。

據(jù)悉，2025年后，晶體管微縮化進(jìn)入埃米尺度（?，angstrom，1埃 = 0.1納米），時(shí)間節(jié)點(diǎn)的規(guī)劃是，2025年A14（14?=1.4納米）、2027年為A10（10?=1nm）、2029年為A7（7?＝0.7納米）。

微觀(guān)晶體管結(jié)構(gòu)層面，imec試圖在14?節(jié)點(diǎn)使用Forksheet結(jié)構(gòu)（p型和n型納米片晶體管成對(duì)排列，類(lèi)似于用餐的叉子），10?節(jié)點(diǎn)試圖采用CEFT結(jié)構(gòu)，1納米（10?）以下計(jì)劃采用原子形狀的溝道，依賴(lài)Mo（鉬）、W（鎢）、X為硫、Se硒、Te（碲）等2D材料和High NA（高數(shù)值孔徑）EUV光刻機(jī)來(lái)實(shí)現(xiàn)。

說(shuō)到High NA EUV光刻機(jī)（0.55NA），一號(hào)原型機(jī)（EXE:5000）將在2023年由ASML提供給imec的聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，2026年量產(chǎn)，從而服務(wù)1nm及更先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)。