碳化硅（Sic）功率器件的耐高壓、耐高溫、低損耗、體積小等性能優(yōu)勢可滿足新能源行業(yè)的發(fā)展需求，直擊電動(dòng)車的“里程焦慮”與“充電焦慮”兩大痛點(diǎn)，也被譽(yù)為替代IGBT的最佳人選。

日前，意法半導(dǎo)體中國宣布，正式推出第三代STPOWER碳化硅(SiC) MOSFET晶體管，推進(jìn)在電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)功率設(shè)備的前沿應(yīng)用，及在其他以高功率密度、高能效、高可靠性為重要目標(biāo)的場景應(yīng)用。

隨著電動(dòng)汽車市場加速發(fā)展，許多整車廠商和配套供應(yīng)商都在采用 800V驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，以加快充電速度，幫助減輕電動(dòng)汽車重量，新的800V系統(tǒng)能夠幫助整車制造商生產(chǎn)行駛里程更長的汽車。

意法半導(dǎo)體的新一代SiC器件專門為這些高端汽車應(yīng)用進(jìn)行了設(shè)計(jì)優(yōu)化，包括電動(dòng)汽車動(dòng)力電機(jī)逆變器、車載充電機(jī)、DC/DC變換器和電子空調(diào)壓縮機(jī)。

官方表示，新一代產(chǎn)品還適合工業(yè)應(yīng)用，可提高驅(qū)動(dòng)電機(jī)、可再生能源轉(zhuǎn)換器和儲(chǔ)能系統(tǒng)、電信電源、數(shù)據(jù)中心電源等應(yīng)用的能效。

意法半導(dǎo)體目前已完成第三代SiC技術(shù)平臺(tái)相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，從該技術(shù)平臺(tái)衍生的大部分產(chǎn)品預(yù)計(jì)在2021年底前達(dá)到商用成熟度。標(biāo)稱電壓650V、750V至1200V的器件將上市，為設(shè)計(jì)人員研發(fā)從市電取電，到電動(dòng)汽車高壓電池和充電機(jī)供電的各種應(yīng)用提供更多選擇。首批上市產(chǎn)品是有650V的SCT040H65G3AG和750V 裸片形式的SCT160N75G3D8AG。