據(jù)武漢市人民政府網(wǎng)站，武漢市人民政府辦公廳本月發(fā)布了《關(guān)于促進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的意見》（以下簡稱《意見》）。

據(jù)了解，《意見》提出，到 2025 年，武漢全市半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)能級(jí)明顯提升，產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)更加合理，設(shè)備、材料、封測配套水平對關(guān)鍵領(lǐng)域形成有力支撐。

產(chǎn)業(yè)規(guī)模方面，到 2025 年，芯片產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值超過 1200 億元，半導(dǎo)體顯示產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值超過 1000 億元，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)初具規(guī)模。

技術(shù)水平方面，到 2025 年，發(fā)明專利年均增速超過 15%，創(chuàng)建 3—5 個(gè)國家級(jí)創(chuàng)新平臺(tái)，牽頭制定 2—4 項(xiàng)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，突破一批關(guān)鍵核心技術(shù)，實(shí)現(xiàn)一批關(guān)鍵技術(shù)轉(zhuǎn)化和應(yīng)用。

市場主體方面，到 2025 年，培育形成 5 家銷售收入超過 100 億元的芯片企業(yè)、5 家銷售收入超過 100 億元的半導(dǎo)體顯示企業(yè)、5 家銷售收入超過 10 億元的半導(dǎo)體設(shè)備與材料企業(yè)，半導(dǎo)體企業(yè)總數(shù)超過 500 家，上市企業(yè)新增 3—5 家。

《意見》提出的重點(diǎn)任務(wù)和產(chǎn)業(yè)布局如下：

重點(diǎn)任務(wù)

（一）瞄準(zhǔn)薄弱環(huán)節(jié)補(bǔ)鏈

1.增強(qiáng)集成電路設(shè)備、材料和封測配套能力。在設(shè)備環(huán)節(jié)，聚焦三維集成特色工藝，研發(fā)刻蝕、沉積和封裝設(shè)備，引入化學(xué)機(jī)械研磨（CMP）機(jī)、離子注入機(jī)等國產(chǎn)設(shè)備生產(chǎn)項(xiàng)目；在材料環(huán)節(jié)，圍繞先進(jìn)存儲(chǔ)器工藝，開發(fā)拋光墊、光刻膠、電子化學(xué)品和鍵合材料，布局化學(xué)氣相沉積材料、濺射靶材、掩膜版、大硅片等材料項(xiàng)目；在封測環(huán)節(jié)，引進(jìn)和培育國內(nèi)外封裝測試領(lǐng)軍企業(yè)，突破先進(jìn)存儲(chǔ)器封裝工藝，推進(jìn)多芯片模塊、芯片級(jí)封裝、系統(tǒng)級(jí)封裝等先進(jìn)封裝技術(shù)產(chǎn)業(yè)化。

2.加快半導(dǎo)體顯示設(shè)備和材料國產(chǎn)化替代。在設(shè)備環(huán)節(jié)，聚焦有機(jī)發(fā)光二極管（OLED）中小尺寸面板工藝，研發(fā)光學(xué)檢測、模組自動(dòng)化設(shè)備，引入顯示面板噴印、刻蝕機(jī)、薄膜制備等國產(chǎn)設(shè)備生產(chǎn)項(xiàng)目；在材料環(huán)節(jié)，支持液晶玻璃基板生產(chǎn)項(xiàng)目建設(shè)，加快 OLED 發(fā)光材料、柔性基板材料的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，引入濾光片、偏光片、靶材等國產(chǎn)材料生產(chǎn)項(xiàng)目。

3.布局第三代半導(dǎo)體襯底及外延制備。在設(shè)備環(huán)節(jié)，支持物理氣相傳輸法（PVT）設(shè)備、金屬有機(jī)化合物氣相沉積（MOCVD）、分子束外延（MBE）等工藝設(shè)備的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化；在材料環(huán)節(jié)，引進(jìn)碳化硅（SiC）襯底、SiC 外延、氮化鎵（GaN）襯底生產(chǎn)線，布局 GaN 外延晶片產(chǎn)線。

（二）立足現(xiàn)有基礎(chǔ)強(qiáng)鏈

1.打造存儲(chǔ)、光電芯片產(chǎn)業(yè)高地。在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，重點(diǎn)引入控制器芯片和模組開發(fā)等產(chǎn)業(yè)鏈配套企業(yè)，研發(fā)超高層數(shù)三維閃存芯片、40 納米以下代碼型閃存、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、三維相變存儲(chǔ)器、存算一體芯片等先進(jìn)存儲(chǔ)芯片；在光電芯片領(lǐng)域，支持 25G 以上光收發(fā)芯片、50G 以上相干光通信芯片的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，布局硅基光通信芯片、高端光傳感芯片、大功率激光器芯片等高端光電芯片制造項(xiàng)目。

2.建設(shè)國內(nèi)重要半導(dǎo)體顯示產(chǎn)業(yè)基地。在顯示面板領(lǐng)域，引進(jìn)大尺寸 OLED、量子點(diǎn)顯示、亞毫米發(fā)光二極管（MiniLED）顯示等面板生產(chǎn)項(xiàng)目，布局微米級(jí)發(fā)光二極管（MicroLED）顯示、激光顯示、8K 超高清、3D 顯示等未來顯示技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化；在顯示模組領(lǐng)域，支持全面屏、柔性屏模組的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，加快開發(fā)高端面板屏下傳感元件及模組，引入光學(xué)鏡頭、背光模組等生產(chǎn)項(xiàng)目，逐步提升對中高端面板的產(chǎn)業(yè)配套能力。

（三）聚焦熱點(diǎn)領(lǐng)域延鏈

1.通信射頻芯片。支持 5G 絕緣襯底上硅（SOI）架構(gòu)射頻芯片、射頻電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化（EDA）軟件研發(fā)；面向 5G 基站、核心網(wǎng)、接入網(wǎng)等基礎(chǔ)設(shè)施市場，重點(diǎn)發(fā)展基帶芯片、通信電芯片、濾波器等關(guān)鍵芯片。

2.通用邏輯芯片。加快圖形處理器（GPU）、顯控芯片的開發(fā)及應(yīng)用，提升知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）核對中央處理器（CPU）、人工智能芯片等邏輯芯片的設(shè)計(jì)支撐能力，布局信創(chuàng)領(lǐng)域處理器項(xiàng)目。

3.北斗導(dǎo)航芯片。支持研發(fā)北斗三號(hào)系統(tǒng)的新一代導(dǎo)航芯片、28 納米高精度消費(fèi)類北斗導(dǎo)航定位芯片、新一代多模多頻高精度基帶系統(tǒng)級(jí)芯片；面向交通、物流、農(nóng)業(yè)、城市管理等領(lǐng)域開發(fā)通導(dǎo)一體化北斗芯片，拓展北斗應(yīng)用。

4.車規(guī)級(jí)芯片。推進(jìn)數(shù)字座艙芯片、駕駛輔助芯片、功率器件、汽車傳感器等車規(guī)級(jí)芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目；面向新能源汽車，布局動(dòng)力系統(tǒng)、主被動(dòng)安全系統(tǒng)、娛樂信息系統(tǒng)、車內(nèi)網(wǎng)絡(luò)、照明系統(tǒng)車規(guī)級(jí)芯片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。

（四）圍繞前沿領(lǐng)域建鏈

1.第三代半導(dǎo)體器件。圍繞電力電子器件、射頻器件、光電器件等 3 個(gè)應(yīng)用方向，引入碳化硅（SiC）功率晶體管、氮化鎵（GaN）充電模塊、GaN 功率放大器、高光效 LED、MiniLED 等器件項(xiàng)目；支持中高壓 SiC 功率模塊、GaN 5G 射頻開關(guān)、紫外 LED 的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，突破 SiC 絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、毫米波射頻器件、MicroLED 關(guān)鍵技術(shù)。

2.量子芯片。支持單光子源、激光器、探測器等光量子芯片的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化；布局量子傳感器、量子精密測量器件等生產(chǎn)項(xiàng)目；開展量子通信、量子成像、量子導(dǎo)航、量子雷達(dá)、量子計(jì)算芯片共性前沿技術(shù)攻關(guān)。

產(chǎn)業(yè)布局

（一）打造相對完整的集成電路產(chǎn)業(yè)鏈聚集區(qū)。重點(diǎn)發(fā)展三維集成工藝、先進(jìn)邏輯工藝，加快推進(jìn)先進(jìn)存儲(chǔ)器等重點(diǎn)制造項(xiàng)目建設(shè)；重點(diǎn)發(fā)展中高端芯片設(shè)計(jì)、IP 核設(shè)計(jì)、EDA 軟件等產(chǎn)業(yè)，加快推進(jìn)精簡指令集（RISC—V）產(chǎn)學(xué)研基地建設(shè)；培育裝備、材料、零部件、封測等產(chǎn)業(yè)，加快推進(jìn)硅基 SOI 半導(dǎo)體材料、光刻材料及電子溶劑、筑芯產(chǎn)業(yè)園等配套項(xiàng)目建設(shè)。

（二）構(gòu)建差異化半導(dǎo)體顯示產(chǎn)業(yè)核心區(qū)。重點(diǎn)發(fā)展中小尺寸顯示面板、大尺寸顯示面板等產(chǎn)業(yè)，加快半導(dǎo)體顯示產(chǎn)業(yè)鏈向上下游延伸發(fā)展，培育核心設(shè)備、關(guān)鍵材料、模組、元器件、顯示終端等產(chǎn)業(yè)，推進(jìn)華星 t4、華星 t5、天馬 G6 二期、京東方 10.5 代線擴(kuò)產(chǎn)、創(chuàng)維 MiniLED 顯示產(chǎn)業(yè)園等項(xiàng)目建設(shè)。

（三）創(chuàng)建半導(dǎo)體特色產(chǎn)業(yè)區(qū)。重點(diǎn)發(fā)展光電芯片、第三代化合物半導(dǎo)體等產(chǎn)業(yè)，推進(jìn)紅外傳感芯片制造、微機(jī)電（MEMS）與傳感工業(yè)技術(shù)研究院等項(xiàng)目建設(shè)；培育車規(guī)級(jí)芯片、工控芯片等產(chǎn)業(yè)，推進(jìn)國家新能源和智能網(wǎng)聯(lián)汽車基地建設(shè)；培育顯示芯片、信息安全芯片等產(chǎn)業(yè)，推進(jìn)國家網(wǎng)絡(luò)安全人才與創(chuàng)新基地建設(shè)；培育人工智能芯片、通用邏輯芯片等產(chǎn)業(yè)，推進(jìn)國家新一代人工智能創(chuàng)新發(fā)展試驗(yàn)區(qū)建設(shè)。