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威剛工控發(fā)表DDR5 4800 ECC U-DIMM與ECC SO-DIMM工業(yè)級內存

2022-07-26 16:29 媒體投稿

導讀:雙重糾錯機制 強大容錯高效傳輸

中國,臺灣 – 2022年7月26日 – 全球工業(yè)級嵌入式存儲領導品牌ADATA威剛科技,于今日正式上線DDR5 4800 ECC U-DIMM與ECC SO-DIMM工業(yè)級內存,持續(xù)擴充DDR5產品系列,提供給客戶更多選擇。相較于上一代DDR4 3200 MT/s的傳輸速度,DDR5在效能上顯著增長50%,且在容量、功耗及穩(wěn)定性上具有更優(yōu)異的表現,并兼容英特爾第12代Alder Lake處理器。隨著新一代服務器、超級計算機、數據中心的需求增加,內存市場份額也隨之擴大;新一代DDR5將代替DDR4成為主流,并應用于5G、大數據等對性能要求極高的行業(yè)領域,廣泛賦能小型工作站、安防、遠程醫(yī)療、邊緣計算、高端計算機等。

威剛DDR5 ECC U-DIMM與ECC SO-DIMM工業(yè)級內存,嚴選三星原廠優(yōu)質顆粒,共有16GB與32GB的兩種容量。而在技術規(guī)格上,新一代DDR5有著顯著的優(yōu)勢:

一、等效頻率提升

4800 MT/s雙倍頻率的提升,可高速傳輸海量數據,保障工業(yè)設備高效運作。

二、超低功耗 散熱更強

DDR5內存工作電壓僅需1.1V,對比DDR4的1.2V,實現了20%左右的節(jié)能效率;并配置溫度傳感器,保障24h*7天運作的工業(yè)系統(tǒng)能有效散熱。

三、雙32位雙通道

全新雙通道DIMM架構將DDR5內部64位數據帶寬,分為兩路32位獨立通道,從而有效提高了內存控制器進行數據訪問的效率,同時減少延遲。

四、雙倍數據組(Bank Group)訪問不延遲

DDR5 Bank Group的數量可以選擇2組、4組到最高8組的設計,總Bank數也從16個增加至32個。Bank group數量的翻倍,確保更少的訪問延遲,允許更多頁面同時被打開,加倍提高了系統(tǒng)的整體效率。

五、獨立電源管理IC(PMIC)

將電源管理的功能從主板轉到更靠近內存芯片的革新電源架構,可降低主板的復雜性、提升電源轉換的效率。

六、雙重ECC糾錯機制 保護數據高度完整

支持Side-band ECC和On-die ECC雙重糾錯機制,除了能自動糾正錯誤,也為信道上的數據傳輸過程提供端對端完整保護,改善內存的數據容錯能力,進而提高準確性。

目前威剛工業(yè)級DDR5 4800內存系列已備齊U-DIMM、SO-DIMM、R-DIMM,以及新上市的 ECC U-DIMM和ECC SO-DIMM,所有產品皆通過嚴格的驗證與測試,并提供多樣的增值防護技術;例如30μ PCB鍍金層,增強產品的耐用度和壽命;抗硫化 (Anti-Sulfuration) 和三防膠 (Conformal Coating) 技術,保護內存抵御外在污染、灰塵或濕度所產生的不良影響,為工業(yè)設備提升對抗惡劣環(huán)境能力,大幅度提升內存的耐用度。