由飛利浦創(chuàng)建的獨(dú)立半導(dǎo)體公司恩智浦半導(dǎo)體(NXPSemiconductors）與臺灣地區(qū)積體電路制造股份有限公司于美國華盛頓特區(qū)(WashingtonD.C.)舉行的國際電子器件會議(InternationalElectronDevicesMeeting，IEDM)上共同發(fā)表七篇技術(shù)文章，報(bào)告雙方通過恩智浦-臺積電研究中心(NXP-TSMCResearchCenter)合作開發(fā)的半導(dǎo)體技術(shù)及制程方面的創(chuàng)新。  

    在會議中，恩智浦-臺積電研究中心發(fā)表了創(chuàng)新的嵌入式存儲技術(shù)，這與傳統(tǒng)的非易失性存儲器相較，速度最多可以快上1,000倍，同時(shí)也具備小尺寸及低功耗等優(yōu)勢，預(yù)估其功耗較目前的存儲器至少小十分之一，制造成本也比一般的嵌入式存儲器節(jié)省百分之五到十。此外，在使用近距無線通信技術(shù)(NFC，NearFieldCommunication)進(jìn)行移動支付或數(shù)據(jù)傳輸時(shí)，此技術(shù)有助于避免數(shù)據(jù)干擾并可以增加數(shù)據(jù)傳輸?shù)陌踩浴?nbsp;

    另一個(gè)技術(shù)文章發(fā)表的是置換傳統(tǒng)石英諧振器的創(chuàng)新突破，此技術(shù)可以在芯片中內(nèi)建更小及更薄的定時(shí)器，而可以直接在智能卡或移動電話SIM卡芯片上內(nèi)建定時(shí)器，進(jìn)一步強(qiáng)化智能卡的加密保護(hù)功能。  

    此外，該研究中心也將發(fā)表在晶體管上的創(chuàng)新突破，報(bào)告新一代晶體管的效能以及其在多方面的應(yīng)用。  

    恩智浦-臺積電研究中心于IEDM所發(fā)表的七篇技術(shù)文章其創(chuàng)新突破簡介如下：  

    *提高晶體管頻率(HighFrequencyBreakthrough):Anovelfullyself-alignedSiGe:CHBTarchitecturefeaturingasinglestepepitaxialcollector-baseprocess  

    *簡化便攜產(chǎn)品應(yīng)用的低耗電量CMOS制程(ProcessSimplificationforLowPowerCMOSProcessesforPortableApplications):TuningPMOSMo(O,N)metalgatestoNMOSbyadditionofDyOcappinglayer  

    *新一代晶體管(NewGenerationTransistor):Demonstrationofhigh-performanceFinFETdevicesfeaturinganoptimizedgatestack  

    *展現(xiàn)高效能CMOS制程(DemonstrationofHighPerformanceFullCMOSProcess):LowVtCMOSusingdopedHf-basedoxides,TaC-basedMetalsandLaser-onlyAnneal  

    *創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)，大幅降低功耗百分之八十(ReducingPowerConsumptionEffectivelyby80%):Rapidcircuit-basedoptimizationoflowoperationalpowerCMOSdevices  

    *更快速、更省電、尺寸更小的嵌入式存儲器(Faster,LowPower,ScalableEmbeddedMemory):Evidenceofthethermo-electricThomsoneffectandinfluenceontheprogramconditionsandcelloptimizationinphase-rangememorycells  

     *諧振器技術(shù)突破(ResonatorTechnologyBreakthrough):Scalable1.1GHzfundamentalmodepiezo-resistivesiliconMEMSresonator