技術(shù)
導(dǎo)讀:三星電子突破3nm,臺(tái)積電,三星兩強(qiáng)相爭(zhēng),國產(chǎn)芯片面臨的差距再次拉大。
對(duì)于國產(chǎn)芯片制造來說,之前是緊追臺(tái)積電,因?yàn)榕_(tái)積電擁有全球最先進(jìn)的晶圓制程工藝。那么今后,除了臺(tái)積電之外,恐怕還要再加一個(gè)名字,就是三星電子。根據(jù)媒體報(bào)道,三星電子的3nm制程將于2022年量產(chǎn),如果能順利實(shí)現(xiàn),這將是三星電子近年來首次與臺(tái)積電同步。據(jù)悉,三星電子采用的是GAA技術(shù)(環(huán)繞閘極技術(shù)),與臺(tái)積電的FinFET工藝有所不同。
三星電子突破3nm,臺(tái)積電,三星兩強(qiáng)相爭(zhēng),國產(chǎn)芯片面臨的差距再次拉大。根據(jù)此前荷蘭光刻機(jī)制造商阿斯麥的表態(tài),DUV光刻機(jī)無需獲得美國批準(zhǔn),但是EUV光刻機(jī)暫時(shí)不在此列。這也意味著國內(nèi)將很難獲得EUV光刻機(jī),國產(chǎn)芯片新工藝制程研發(fā)受阻,止步于7nm制程。
EUV光刻機(jī)進(jìn)口無望,國產(chǎn)光刻機(jī)短期內(nèi)還無法趕上來,那么國產(chǎn)芯片何去何從?冷板凳究竟還要坐多久?我國臺(tái)灣省,韓國同屬芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)達(dá)地區(qū),近年來走的路線并不相同。臺(tái)灣地區(qū)以晶圓代工為突破口,利用美國芯片設(shè)計(jì),芯片專業(yè)代工逐漸分離的大趨勢(shì),抓住機(jī)遇,成為行業(yè)的開拓者和最大的受益方。而韓國以IDM起步,從存儲(chǔ)芯片打開缺口,利用規(guī)模優(yōu)勢(shì)逐漸將競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手?jǐn)D出市場(chǎng),成就了韓國企業(yè)在DRAM領(lǐng)域的壟斷地位,并將優(yōu)勢(shì)逐漸延伸到NAND閃存。
簡而言之,臺(tái)積電靠的是機(jī)遇和先發(fā)優(yōu)勢(shì),而三星電子,海力士等韓國企業(yè)憑借的是規(guī)模和競(jìng)爭(zhēng)力。對(duì)于目前的國產(chǎn)芯片來說,彎道超車已經(jīng)不可能,坐冷板凳或許是唯一的選擇。不同的模式,走的路線大不相同。坐冷板凳意味著要放低姿態(tài),以競(jìng)爭(zhēng)求生存,一步一步地打好基礎(chǔ),為將來的崛起做好鋪墊。從這一點(diǎn)來說,韓國芯片的道路更適合中國。
以韓國芯片的崛起為例,80年代,當(dāng)美國逐漸放棄DRAM產(chǎn)業(yè),韓國三星,現(xiàn)代等集團(tuán)才剛剛進(jìn)入這一領(lǐng)域,一直到90年代中期之前,韓國芯片技術(shù)還遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于日本。三星電子之所以能最終勝出,與三星集團(tuán)的實(shí)力和決心有很大關(guān)系。著名的“逆周期”投資就是三星的拿手好戲,即在市場(chǎng)不景氣時(shí)反而加大投資,擴(kuò)充產(chǎn)能,以達(dá)到淘汰競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的目的。最終韓國企業(yè)成功迫使日本芯片三強(qiáng)的NEC,三菱和日立相繼退出市場(chǎng)。
韓國企業(yè)從DRAM切入半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),如今又在晶圓代工領(lǐng)域發(fā)力,在3nm制程與臺(tái)積電并駕齊驅(qū)。對(duì)于國產(chǎn)芯片而言,在沒有光刻機(jī)的情況下,從存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域打開市場(chǎng),或許不失為一條可行之路,韓國芯片的成功是一條可以復(fù)制的成功之路。