近年來，中國公布了多項推動國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要舉措，包括在代工、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等領(lǐng)域開展新的大規(guī)模晶圓廠擴(kuò)建計劃。

　　中國正在大力推動其所謂的“第三代半導(dǎo)體”。該術(shù)語實際上是指兩種現(xiàn)有的常見功率半導(dǎo)體器件類型，即GaN和SiC功率半導(dǎo)體。無論名稱如何，中國都在迎頭趕上。雖然中國在領(lǐng)先的邏輯制程方面進(jìn)一步落后，但另一方面，中國在其IC產(chǎn)業(yè)的其他部分繼續(xù)取得快速進(jìn)展。

　　中國是一個復(fù)雜多變的市場。一方面，中國是全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)市場。IBS首席執(zhí)行官Handel Jones表示，2020年，中國芯片銷售額達(dá)到2394.5 億美元，占全球總銷售額53.7%。Handel Jones稱，2020年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模達(dá)到4461億美元，同比增長8.34%。根據(jù)IBS 數(shù)據(jù)顯示，預(yù)計2021年半導(dǎo)體市場將增長21.62%。

　　從中國的角度來看，仍面臨著很大難題。多年來，中國一直從跨國供應(yīng)商處進(jìn)口大量半導(dǎo)體，造成了巨大的貿(mào)易逆差。根據(jù)IBS數(shù)據(jù)，2020年，跨國公司在華注冊芯片總銷售額為1997 億美元。據(jù)該公司稱，這占中國芯片總銷售額的83.38%。而剩余份額歸中國芯片供應(yīng)商持有。中國也只生產(chǎn)一小部分自己的芯片。

　　多年來，為縮小國際差距，中國采取了大量舉措，但這些努力都未能奏效?，F(xiàn)在，中國正在向國內(nèi)IC產(chǎn)業(yè)投入1500億美元，希望在開發(fā)和制造各種類型的芯片方面更加自給自足。即便如此，中國在尋求減少對外國供應(yīng)商的依賴方面仍面臨許多挑戰(zhàn)。

　　盡管如此，中國仍在擴(kuò)張。據(jù)SEMI稱，全球芯片制造商將在2021年開始建設(shè)19座新晶圓廠，2022年還有10座正在規(guī)劃中。SEMI表示，中國大陸和中國臺灣在各有8座，在新晶圓廠建設(shè)方面處于領(lǐng)先地位。此外，中國大陸還有幾家晶圓廠正在籌劃建設(shè)中。

　　“我們目前了解到有17座中國本土企業(yè)的晶圓廠將在2021年至2023年開始建設(shè)?！?SEMI分析師Christian Dieseldorff表示?？傮w而言，中國芯片制造商的裝機(jī)容量將從2020年的每月296萬片晶圓(wpm)增加到2021年的357.2萬片。

　　中國半導(dǎo)體行業(yè)正在發(fā)生幾件大事：

　　中國大陸最大的代工廠中芯國際已經(jīng)流片了其類似7nm的技術(shù)，盡管目前還不清楚是否可以實現(xiàn)超越。

　　華虹、中芯國際、聞泰科技和其他中國芯片制造商正在建設(shè)新的晶圓廠。

　　中國正在建設(shè)幾座GaN和SiC晶圓廠。

　　中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)劃

　　中國在半導(dǎo)體領(lǐng)域深耕多年。在1970年代，中國出現(xiàn)了幾家國營芯片制造商，并開發(fā)了簡單的晶體管，但這些企業(yè)尚不具有競爭力。直到1980年代，當(dāng)中國政府開始對其半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)行現(xiàn)代化改造時，這個國家才開始受到業(yè)界關(guān)注。在外國關(guān)注者的幫助下，中國在1980年代和1990年代成立了幾家芯片企業(yè)。

　　這些企業(yè)開發(fā)了邏輯和存儲設(shè)備，但在技術(shù)上仍落后于西方。當(dāng)時，西方對中國實行嚴(yán)格的出口管制。跨國設(shè)備供應(yīng)商被禁止在中國運(yùn)送其最先進(jìn)的系統(tǒng)。

　　為了縮小差距，中國大陸在2000年成立了其最先進(jìn)的代工供應(yīng)商——中芯國際。隨后，自 2000年代后期開始，英特爾、三星和SK海力士陸續(xù)在中國建立內(nèi)存工廠，而中國臺灣企業(yè)臺積電和聯(lián)電也陸續(xù)成立。

　　彼時，中國已成為大型電子產(chǎn)品制造基地。一夜之間，中國成為全球最大的芯片市場。那時，中國的集成電路產(chǎn)業(yè)已經(jīng)很成熟，但其大部分芯片仍是從跨國供應(yīng)商那里進(jìn)口的。而中國也已經(jīng)擁有小部分自己的芯片生產(chǎn)能力。

　　由此，在數(shù)十億美元的資金支持下，中國政府于2014年公布了一項新計劃，旨在加快中國在14nm工藝、存儲器和封裝方面的發(fā)展。

　　隨后，中國于2015年發(fā)起了另一項名為“中國制造 2025”的倡議，旨在加速中國在信息技術(shù)、機(jī)器人、航空航天、航運(yùn)、鐵路、電動汽車、電力設(shè)備、材料、醫(yī)藥和機(jī)械等10個領(lǐng)域零部件的國產(chǎn)化進(jìn)程。

　　在這些領(lǐng)域，中國逐漸取得進(jìn)展。但一些舉措從2018年開始脫離軌道，當(dāng)時美國通過對中國制造的商品征收關(guān)稅，與中國發(fā)動了貿(mào)易戰(zhàn)。中國也進(jìn)行了反擊。

　　一年后，美國將華為及其內(nèi)部芯片部門海思列入“實體清單”。美國阻止跨國公司和代工廠向華為和海思出售高端芯片。

　　中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的緊張局勢升級。這反過來又促使中國加快國產(chǎn)半導(dǎo)體的發(fā)展步伐，致力于能夠?qū)崿F(xiàn)自給自足。

　　與此同時，中國將目光投向了其他領(lǐng)域，例如純電動汽車 (BEV)。根據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)顯示，特斯拉是全球最大的BEV供應(yīng)商，但中國在BEV總體份額中占比最大。

　　2020年，中國提出了“道路2.0”，即2035年電動汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃。“到2025年，實現(xiàn)電池、動力系統(tǒng)、整車操作系統(tǒng)等關(guān)鍵技術(shù)突破；將新型純電動汽車平均功耗降至12.0kWh/100km；并將NEV（新電動汽車）銷量提高到新車總銷量的20%?！睋?jù)公共政策組織Covington分析師Phoebe Yin、Jake Levine和Ashwin Kaja介紹。

　　今年早些時候，中國公布了“十四五”規(guī)劃。據(jù)IDC稱，中國正在開發(fā)包括七個關(guān)鍵領(lǐng)域的多種技術(shù)：

　　人工智能（AI）

　　認(rèn)知科學(xué)

　　遺傳學(xué)/生物技術(shù)

　　醫(yī)學(xué)/健康

　　量子計算

　　半導(dǎo)體

　　太空/極地探索

　　Covington表示，中國還希望進(jìn)入或擴(kuò)展到更多領(lǐng)域，包括設(shè)計工具、半導(dǎo)體設(shè)備和材料、先進(jìn)存儲以及GaN和SiC。

　　中國晶圓廠建設(shè)遭遇挫折

　　中國也在繼續(xù)擴(kuò)大其晶圓代工建設(shè)。代工廠使用不同節(jié)點的工藝技術(shù)為其他企業(yè)制造芯片。工藝技術(shù)是用于在晶圓廠制造給定芯片的配方。節(jié)點是指工藝制程的設(shè)計規(guī)則。

　　成熟工藝涉及28nm及以上的邏輯節(jié)點，其中關(guān)鍵構(gòu)建模塊是平面晶體管。在28nm以下，芯片需要使用finFET構(gòu)建。

　　在中國大陸晶圓代工產(chǎn)業(yè)中，臺積電正建設(shè)南京工廠，加快16nm finFET工藝，并計劃擴(kuò)展其28nm產(chǎn)能。在廈門，聯(lián)電的晶圓廠正在擴(kuò)展40nm/28nm工藝制程的芯片制造。

　　中國大陸代工廠包括ASMC（上海先進(jìn)半導(dǎo)體）、華潤微、華虹集團(tuán)、三安集成電路和中芯國際。華虹集團(tuán)包括三個供應(yīng)商——華虹宏力、華虹半導(dǎo)體和上海華力。

　　中國想要擁有晶圓代工實力主要有幾個原因。首先，制造出更多自己的芯片。其次，中國的代工廠不僅要為跨國廠商生產(chǎn)芯片，還希望服務(wù)于越來越多的國內(nèi)正在開發(fā)前沿芯片的IC設(shè)計公司。第三，中國希望在國內(nèi)代工廠制造先進(jìn)工藝芯片。

　　“五年前，中國在做復(fù)雜芯片時確實遇到了麻煩，而華為和海思攻克了難題，實現(xiàn)了突破。”IBS的Jones表示。“現(xiàn)在，在中國可能有10或12家公司可以在5nm上進(jìn)行設(shè)計，并在明年或之后轉(zhuǎn)向3nm。”

　　中國代工廠已經(jīng)取得不小的成功。根據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)，兩家供應(yīng)商——中芯國際和華虹——分別是全球銷售額第五和第六大代工廠。臺積電仍然位居第一，其次是三星、聯(lián)電和格芯。

　　圖1：2021 年第二季度銷售額排名前10的代工廠。中芯國際和華虹鞏固了在代工競爭中的地位。圖源：TrendForce

　　然而，中國可能短時間內(nèi)無法實現(xiàn)其目標(biāo)。據(jù)IC Insights稱，其目標(biāo)在2025年生產(chǎn)70%的芯片。根據(jù)IC Insights數(shù)據(jù)顯示，2020年中國生產(chǎn)了15.9%的芯片，2025年預(yù)計能夠生產(chǎn)19.4%。

　　中國大陸廠商在工藝技術(shù)方面也仍然落后。中芯國際最先進(jìn)的技術(shù)涉及14nm工藝，其中 7nm處于研發(fā)階段。相比之下，臺積電和三星正在加速5nm，3nm也計劃于2022年推出。

　　因此，對于領(lǐng)先的工藝，中國大陸的設(shè)計公司必須依賴外部代工廠。盡管如此，隨著對成熟工藝芯片的巨大需求，中國的晶圓代工廠正在蓬勃發(fā)展。

　　“如今的半導(dǎo)體制造與過去只有領(lǐng)先晶圓廠才能賺錢的時代不同。”D2S首席產(chǎn)品官Leo Pang表示?！捌囆袠I(yè)和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用都停留在成熟的節(jié)點上，比如28nm及以上節(jié)點。”

　　中國大陸已經(jīng)在短時間內(nèi)取得了長足的進(jìn)步。2001年，中芯國際開始生產(chǎn)其第一座晶圓廠——一座200mm、0.25微米的工廠。隨著時間的推移，中芯國際開發(fā)了幾個新的晶圓廠和工藝。

　　到2014年，該公司開發(fā)了國內(nèi)當(dāng)時最先進(jìn)的技術(shù)，28 nm工藝。相比之下，臺積電在2011年推出了28nm。隨后，格芯、三星和聯(lián)電也推出了28nm。

　　如今，28nm市場需求仍然旺盛，所有的代工廠都在繼續(xù)擴(kuò)大28nm晶圓廠產(chǎn)能。一些供應(yīng)商正在加速22nm，這是28nm的延伸。聯(lián)電聯(lián)席總裁 Jason Wang 表示：“28nm 技術(shù)的收入持續(xù)增長，而 22nm 的業(yè)務(wù)參與導(dǎo)致越來越多的客戶在無線、顯示器和物聯(lián)網(wǎng)市場進(jìn)行流片?！?/p>

　　同時，幾家代工廠繼續(xù)追求領(lǐng)先優(yōu)勢，但也存在一些挑戰(zhàn)。在28nm/22nm及以上，芯片仍然使用平面晶體管。而低于 20 nm，平面晶體管將失去動力。

　　這就是英特爾在 2011年轉(zhuǎn)向22nm finFET的原因。2014 年，格芯、三星和臺積電轉(zhuǎn)向 16nm/14nm finFET。FinFET比平面晶體管更快，功耗更低，并且在16/14nm時，漏電流要低得多。但其制造難度和成本也更高。

　　為了迎頭趕上，中芯國際于2015年開始研發(fā)14nm finFET工藝。在2019年推出了這項技術(shù)，比競爭對手落后了幾年。

　　不過，它并沒有放棄。最近，中芯國際流片了所謂的7nm或“N+1”技術(shù)。“該過程尚未出現(xiàn)批量生產(chǎn)和良率改善?！?Gartner分析師 Samuel Wang表示。“中芯國際的N+1不是7nm工藝。可以認(rèn)為是8nm?！?/p>

　　此后，中芯國際陷入困境，無法處理超過N+1的芯片。最近，美國阻止中芯國際獲得ASML 的極紫外 (EUV) 光刻機(jī)，從而阻礙中國開發(fā)領(lǐng)先工藝。該系統(tǒng)用于開發(fā)7nm及以上的芯片，如果沒有EUV，就意味著中芯國際難以突破更先進(jìn)的工藝制程。

　　去年，美國還將中芯國際列入“實體清單”，使其難以獲得其他先進(jìn)設(shè)備。到目前為止，美國還沒有放松對中芯國際的限制，這意味著該公司將進(jìn)一步落后。

　　“差距正在擴(kuò)大，”Wang認(rèn)為?！霸贜+1或8nm之后，中芯國際難以有新動作。（沒有EUV）他們無法研發(fā)真正的7nm或6nm。在先進(jìn)技術(shù)方面，將更加落后?？赡軙浜罅辏踔粮L時間。”

　　不過，也有一線希望?！熬褪杖攵?，中芯國際做得很好，”Wang表示。“在28nm及以上，需求量巨大。中芯的晶圓廠利用率超過100%。盡管在開發(fā)先進(jìn)技術(shù)方面受到限制，但其營收率仍在增長。”

　　此外，在成熟工藝制程方面，中芯國際和其他中國芯片制造商仍繼續(xù)建設(shè)晶圓廠。根據(jù)SEMI《世界晶圓廠預(yù)測報告》，以下是中國目前和未來的一些晶圓廠項目：

　　華潤微—重慶（300mm，傳統(tǒng)節(jié)點）

　　華虹 — 無錫（300mm，傳統(tǒng)節(jié)點）

　　晶合集成 — 合肥（300mm，傳統(tǒng)節(jié)點）

　　中芯國際—上海（300mm、14nm及以上）

　　中芯國際 — 北京（300mm、28 nm及以上）

　　聞泰科技 — 上海（300mm，傳統(tǒng)節(jié)點）

　　華虹擁有三座 200mm晶圓廠，并正在擴(kuò)建其第一座300mm工廠。專注于成熟工藝，華虹晶圓廠滿負(fù)荷運(yùn)行?！皫缀跛屑?xì)分市場都有強(qiáng)勁的需求——尤其是MCU、電源管理IC、IGBT、超級結(jié)、CIS、邏輯和RF，”華虹總裁唐均君表示。

　　上海華力有兩座晶圓廠，已經(jīng)滿載。該公司具備28 nm能力，預(yù)計年底將推出14 nm。與此同時，華為計劃建造一座晶圓廠，盡管其計劃尚不確定。

　　“中國確實拿不到EUV光刻機(jī)，所以他們無法進(jìn)入領(lǐng)先地位。但這對他們建造新晶圓廠來說不是問題，”D2S的Pang表示?！暗紫龋麄冃枰@得市場份額并根據(jù)當(dāng)?shù)匦枨笈囵B(yǎng)人才。一旦兩者兼而有之，他們就可以逐漸在國內(nèi)市場之外擴(kuò)張?！?/p>

　　推動功率半導(dǎo)體發(fā)展

　　中國也在大力推動功率半導(dǎo)體新領(lǐng)域的發(fā)展。功率半導(dǎo)體用于控制和轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中的電力，廣泛應(yīng)用于汽車、計算機(jī)和工業(yè)領(lǐng)域。

　　功率半導(dǎo)體由專門的晶體管組成，這些晶體管允許電流在“開”狀態(tài)下流動，并在“關(guān)”狀態(tài)下停止。它們提高了效率并最大限度地減少了系統(tǒng)中的能量損失。經(jīng)過幾十年的發(fā)展，功率器件變得越來越重要。

　　“我們必須使用技術(shù)來保護(hù)環(huán)境。一種解決方案是混合動力汽車，其中電力電子是關(guān)鍵，”英飛凌大中華區(qū)車輛運(yùn)動部門負(fù)責(zé)人Gary Zhong表示。“考慮到汽車電氣化和數(shù)字化的大趨勢，我們預(yù)計對功率半導(dǎo)體的需求將快速增長，例如IGBT和SiC MOSFET?！?/p>

　　當(dāng)今的功率半導(dǎo)體市場由硅基器件主導(dǎo)，其中包括功率MOSFET、超級結(jié)功率MOSFET 和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。

　　功率MOSFET用于低壓、10V至500V應(yīng)用，例如適配器和電源。超級結(jié)MOSFET用于 500V至900V應(yīng)用。IGBT是領(lǐng)先的中檔功率器件，用于1.2kV至6.6kV系統(tǒng)。

　　IGBT和MOSFET被廣泛使用，但也已達(dá)到極限。這就是為什么越來越多的供應(yīng)商正在開發(fā)基于兩種寬禁帶（GaN、SiC）功率器件的原因。GaN和SiC基功率器件都比硅更小、更高效，同時也更昂貴。

　　多家中國公司正在開發(fā)和制造各種類型的功率半導(dǎo)體。盡管如此，國內(nèi)系統(tǒng)制造商仍然必須從跨國公司進(jìn)口大部分這些設(shè)備。

　　一方面，像GaN這樣的技術(shù)很難開發(fā)。“SiC更堅固，”IBS的Jones稱?！八灾袊嚻髽I(yè)都在向外國公司采購?！?/p>

　　展望未來，中國希望發(fā)展并制造更多自己的功率半導(dǎo)體。根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，到2023年，中國有望成為全球功率和化合物半導(dǎo)體晶圓廠產(chǎn)能的領(lǐng)導(dǎo)者。

　　中國致力于推動所有領(lǐng)域共同發(fā)展，包括功率MOSFET等成熟產(chǎn)品。據(jù)Yole稱，已經(jīng)出現(xiàn)了幾家國內(nèi)MOSFET供應(yīng)商，包括華潤微、吉林華微和士蘭微。Yole分析師Milan Rosina表示，“因此，中國企業(yè)在制造領(lǐng)域投資也就不足為奇了。”

　　中國正在以其他方式擴(kuò)張。2017 年，恩智浦將其名為Nexperia的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品業(yè)務(wù)出售給了一家中國聯(lián)營企業(yè)。2019年，中國電信公司聞泰控股控股分立器件和MOSFET供應(yīng)商N(yùn)experia（安世半導(dǎo)體），現(xiàn)在Nexperia是聞泰科技子公司，總部仍設(shè)在荷蘭。

　　Nexperia在德國和英國設(shè)有晶圓廠。2021 年初，聞泰宣布計劃在上海建設(shè)300mm功率半導(dǎo)體晶圓廠。這座耗資18.5億美元的晶圓廠將于2022年投產(chǎn)。

　　在這些事件之后，Nexperia收購了英國的功率半導(dǎo)體代工廠供應(yīng)商N(yùn)ewport Wafer Fab (NWF)?！癗experia對Newport的興趣在于批量生產(chǎn)8英寸分立功率MOSFET，”Nexperia 總法律顧問Charles Smit表示?！癗ewport還將提升公司的車規(guī)級產(chǎn)品供應(yīng)能力?！?/p>

　　該交易受到英國政府的審查，但不太可能阻止這一舉措。NWF已經(jīng)接近破產(chǎn)。

　　與此同時，NWF也在開發(fā)SiC，這是一種中國非常感興趣的技術(shù)。GaN也是如此。根據(jù) TrendForce數(shù)據(jù)，2020年，中國在SiC和GaN領(lǐng)域投資了25個項目，成本為109億美元。根據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)，在這些數(shù)字中，中國有大約14條6英寸SiC晶圓生產(chǎn)線。華大半導(dǎo)體、三安集成電路、天科合達(dá)等在中國都有SiC生產(chǎn)線。

　　同時，三安集成電路為化合物半導(dǎo)體器件（GaN、SiC）、電力電子和光電子提供代工服務(wù)。最近，三安集成電路的長沙制造基地開設(shè)了中國第一家垂直整合的 SiC 工廠。

　　三安集成電路技術(shù)營銷和銷售總監(jiān)Mrinal Das表示：“我們的長沙工廠前后端集成了完整的組裝和測試設(shè)施，可大批量生產(chǎn)分立和功率模塊封裝?！拔覀冊谝荒陜?nèi)開啟了我們的長沙一期工程，目前正朝著每月15,000片150mm SiC晶圓的目標(biāo)發(fā)展?！?/p>

　　與跨國供應(yīng)商一樣，中國本土的碳化硅供應(yīng)商也將目光投向了多個市場?！爸袊腿蚺畈l(fā)展的電動汽車市場正在激勵所有SiC供應(yīng)商擴(kuò)大制造能力，” Das表示。“電動汽車市場銷量的顯著增長正在推動 SiC 器件價格加速下降，從而增加其在光伏組串逆變器、儲能、UPS 和電機(jī)驅(qū)動等其他增長市場的采用率?！?/p>

　　BEV市場廣闊。在第一批BEV中，IGBT用于牽引逆變器，為電機(jī)提供牽引力以驅(qū)動車輛。BEV還集成了其他芯片。

　　這種情況在2017年開始發(fā)生變化，當(dāng)時特斯拉開始在其Model 3 BEV中的牽引逆變器中使用意法半導(dǎo)體的SiC功率器件。SiC比IGBT更高效，但也更貴。

　　現(xiàn)在，所有汽車制造商都在其新BEV中為功率逆變器集成或評估SiC。SiC器件還用于BEV 中的DC-DC轉(zhuǎn)換器和車載充電器?！半S著快充和自動駕駛的要求不斷提高，車輛需要高壓平臺。SiC MOSFET通過提供更大范圍、更緊湊的尺寸和更好的整體系統(tǒng)成本，為該系統(tǒng)的未來做出了貢獻(xiàn)，”英飛凌的Zhong表示。

　　盡管如此，跨國公司也并沒有停滯不前。許多公司已在中國開展業(yè)務(wù)或與國內(nèi)供應(yīng)商成立合資企業(yè)。例如，中國的正海集團(tuán)和日本的羅姆最近簽署了在中國設(shè)立合資公司的協(xié)議。該合資企業(yè)將開發(fā)碳化硅 (SiC) 功率模塊。除此之外，羅姆還在中國結(jié)成了其他聯(lián)盟。

　　“在太陽能發(fā)電系統(tǒng)、工業(yè)設(shè)備、服務(wù)器和基站等各種應(yīng)用中，碳化硅功率器件的采用速度已經(jīng)加快。預(yù)計未來將越來越廣泛應(yīng)用于電動汽車領(lǐng)域，”羅姆高級銷售總監(jiān)Travis Moench 表示?！靶碌暮腺Y企業(yè)還將為我們的客戶提供更多選擇。我們預(yù)計新公司的功率模塊開發(fā)將推動 SiC 功率器件在中國發(fā)展勢頭良好的新能源汽車中安裝使用，并將在其他應(yīng)用研究中發(fā)揮重要作用。”

　　除了SiC，中國還對GaN感興趣，GaN是一種用于LED、功率半導(dǎo)體和射頻的III-V族材料。GaN功率半導(dǎo)體正在多個市場上蓬勃發(fā)展，例如快充。基于GaN器件的快充是一種小型適配器，可以比傳統(tǒng)充電器更快地為智能手機(jī)和筆記本電腦充電。

　　“對于功率轉(zhuǎn)換，GaN蓬勃發(fā)展的第一個市場是快充領(lǐng)域，”美國GaN功率半導(dǎo)體供應(yīng)商 Navitas的企業(yè)營銷副總裁 Stephen Oliver稱?！俺潆娖魇袌銮嗖A小尺寸、輕便的產(chǎn)品。如果您正在考慮可用于筆記本電腦或手機(jī)的65W充電器（使用GaN），則GaN的BOM成本比硅高約15%。但它相比后者尺寸重量減少了三倍，相同尺寸的充電速度也提高了三倍?！?/p>

　　快充是中國智能手機(jī)廠商的流行配件。最近，小米推出了一款智能手機(jī)，以及一款基于Navitas GaN功率器件的獨立55W快充。

　　跨國公司在GaN功率器件市場占據(jù)主導(dǎo)地位，但中國的Innoscience（英諾賽科）正在蓄勢待發(fā)。幾家中國公司也在建設(shè)新的GaN晶圓廠。“TrendForce數(shù)據(jù)顯示，截至2021年上半年，中國已經(jīng)安裝了大約7條硅基GaN晶圓生產(chǎn)線，而目前至少有4條GaN功率器件生產(chǎn)線正在中國建設(shè)中?！?/p>

　　圖2：GaN功率器件供應(yīng)商的市場份額，中國企業(yè)Innoscience對跨國GaN供應(yīng)商的追趕。資料來源：TrendForce

　　總結(jié)

　　中國還做出了其他一些努力。例如，中國存儲器制造商一直在生產(chǎn)3D NAND和DRAM。

　　總而言之，中國正在全力推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。雖然不會很快實現(xiàn)自給自足，但它將繼續(xù)撼動市場。