存儲(chǔ)芯片中除了NAND閃存及DRAM內(nèi)存之外，還有多種技術(shù)選擇，ReRAM(非易失性阻變式存儲(chǔ)器)就是其中一種，其寫入壽命可達(dá)100萬(wàn)次，此前主要是生產(chǎn)難度大，現(xiàn)在杭州昕原半導(dǎo)體主導(dǎo)建設(shè)了國(guó)內(nèi)首條28/22nm ReRAM 12寸中試生產(chǎn)線。

據(jù)杭州日?qǐng)?bào)消息，昕原半導(dǎo)體主導(dǎo)建設(shè)的國(guó)內(nèi)首條28/22nm ReRAM（阻變存儲(chǔ)器）12寸中試生產(chǎn)線順利完成了自主研發(fā)設(shè)備的裝機(jī)驗(yàn)收工作，實(shí)現(xiàn)了中試線工藝流程的通線，并成功流片（試生產(chǎn)）。

傳統(tǒng)CMOS代工廠或因囿于資源所限，迭代速度較慢，從而影響工藝開(kāi)發(fā)進(jìn)度，而國(guó)內(nèi)各大科研院所雖可在實(shí)驗(yàn)室階段加快迭代速度，但沒(méi)有標(biāo)準(zhǔn)的12寸量產(chǎn)產(chǎn)線，實(shí)驗(yàn)成果往往很難走向量產(chǎn)。

昕原自行搭建的28/22nm ReRAM（阻變存儲(chǔ)器）12寸中試生產(chǎn)線就解決了上述問(wèn)題。汲取了代工廠和實(shí)驗(yàn)室的長(zhǎng)處，迭代速度快， 產(chǎn)線靈活，擁有自主可控的知識(shí)產(chǎn)權(quán)，使得ReRAM相關(guān)產(chǎn)品的快速實(shí)現(xiàn)變成了可能。

“作為大陸首條28/22nm ReRAM12寸中試生產(chǎn)線，我們產(chǎn)線的順利導(dǎo)通并完成產(chǎn)品的驗(yàn)證和實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，將極大帶動(dòng)我國(guó)新型存儲(chǔ)行業(yè)發(fā)展?！?/p>

昕原半導(dǎo)體相關(guān)負(fù)責(zé)人表示，“而在這一領(lǐng)域，目前國(guó)內(nèi)外差距較小，壁壘尚未形成，為我國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)‘彎道超車’提供了可能。”