技術(shù)
導(dǎo)讀:從目前已知的信息來(lái),每臺(tái) EUV 光刻機(jī)都采用了超過(guò) 100000 個(gè)零組件,它們來(lái)自全球各大尖端科技廠商。直觀一點(diǎn),它們大概需要 40 個(gè)貨運(yùn)集裝箱或四架大型噴氣式飛機(jī)來(lái)運(yùn)輸。
眾所周知,目前 ASML 是全世界當(dāng)之無(wú)愧的光刻機(jī)巨頭,技術(shù)實(shí)力領(lǐng)先日本一眾廠商,甚至此前總市值超 2800 億歐元成為總市值最高的歐洲科技企業(yè)。
CNBC 報(bào)道稱(chēng),這家瘋狂的荷蘭公司現(xiàn)在正在制造一種“可以重新定義電子產(chǎn)品”的機(jī)器。
據(jù)稱(chēng),ASML 正在開(kāi)發(fā)一種新版本的極紫外光刻機(jī),將成為世界上最先進(jìn)的芯片制造機(jī)器。新機(jī)器可以讓芯片制造商研制出更復(fù)雜的芯片,為下一代電子設(shè)備提供動(dòng)力。
今年 7 月,英特爾首席執(zhí)行官 Pat Gelsinger 表示,該公司有望成為 ASML 新機(jī)器的第一個(gè)接收者,該機(jī)器被稱(chēng)為 High NA(高數(shù)值孔徑)。
EUV 機(jī)器如何工作
EUV 光刻機(jī)可將異常狹窄的光束照射到經(jīng)過(guò)“光刻膠”化學(xué)處理過(guò)的硅晶圓上。在光線接觸到化學(xué)物質(zhì)的地方,晶圓片上就會(huì)產(chǎn)生復(fù)雜的圖案,這些圖案事則是由設(shè)計(jì)者事先精心規(guī)劃的。這個(gè)過(guò)程被稱(chēng)為光刻技術(shù),它就是目前集成電路上晶體管的出處。
晶體管是現(xiàn)代電子產(chǎn)品基本組成部分之一,從而使電流能夠在電路周?chē)鲃?dòng)。一般來(lái)說(shuō),芯片上的晶體管越多,芯片的性能就越強(qiáng),效率也就越高。
據(jù)了解,并非 ASML 所有光刻機(jī)都支持 EUV 功能。EUV 是該公司近年為大批量生產(chǎn)引入的最新技術(shù),而 DUV(深紫外線)仍然是半導(dǎo)體行業(yè)的主力需求。
塔夫斯大學(xué)弗萊徹法律與外交學(xué)院助理教授克里斯?米勒 (Chris Miller) 表示,芯片制造商希望在光刻技術(shù)中盡可能使用最窄的光波(波長(zhǎng)),這樣他們就可以在每塊硅晶圓片上實(shí)現(xiàn)更多的晶體管。
開(kāi)發(fā)新機(jī)器
與 ASML 目前的 EUV 光刻機(jī)相比,高 NA 版本將更大、更昂貴且更復(fù)雜。
“它包括一種新穎的光學(xué)設(shè)計(jì),需要明顯更快的階段,”ASML 發(fā)言人告訴 CNBC。他們補(bǔ)充說(shuō),高 NA 機(jī)器具有更高的分辨率,這將使芯片面積縮小 1.7 倍,芯片密度增加 2.9 倍。
“有了這個(gè)平臺(tái),客戶(hù)將大大化簡(jiǎn)制造步驟,”發(fā)言人繼續(xù)說(shuō)道。“這將成為他們引入該技術(shù)的理由。該平臺(tái)可顯著降低缺陷、成本和周期?!?/p>
▲ 圖源 ASML
從目前已知的信息來(lái),每臺(tái) EUV 光刻機(jī)都采用了超過(guò) 100000 個(gè)零組件,它們來(lái)自全球各大尖端科技廠商。直觀一點(diǎn),它們大概需要 40 個(gè)貨運(yùn)集裝箱或四架大型噴氣式飛機(jī)來(lái)運(yùn)輸。據(jù)報(bào)道,每一套光刻機(jī)的成本約為 1.4 億美元。
“他們并沒(méi)有進(jìn)行限制,”米勒補(bǔ)充道,該公司的新型光刻機(jī)將支持在硅晶圓上進(jìn)行更具體的蝕刻。
第一臺(tái)高 NA 機(jī)器仍在開(kāi)發(fā)中,預(yù)計(jì)從 2023 年開(kāi)始提供先行體驗(yàn),以便芯片制造商可以更快地開(kāi)始驗(yàn)證并學(xué)會(huì)如何使用。然后,客戶(hù)可以在 2024 年和 2025 年將以此進(jìn)行自己的研發(fā)工作。從 2025 年開(kāi)始,它們很可能用于大批量制造。
今年 7 月,英特爾首席執(zhí)行官 Pat Gelsinger 表示,該公司有望成為 ASML 高 NA 機(jī)器的第一個(gè)接收者。
“我敢打賭,他為這個(gè)“首發(fā)”付出了很多利益,因?yàn)樗隙ú皇俏ㄒ灰粋€(gè)想先拿到這臺(tái)機(jī)器的人,”米勒說(shuō)。
英特爾銷(xiāo)售和營(yíng)銷(xiāo)副總裁 Maurits Tichelman 對(duì)此表示:“高 NA EUV 是 EUV 路線圖上的下一個(gè)重大技術(shù)變革”,“我們已準(zhǔn)備好接收業(yè)內(nèi)首款量產(chǎn)的高 NA EUV 光刻機(jī),并爭(zhēng)取在 2025 年推出新產(chǎn)品”不過(guò)他拒絕透露英特爾訂購(gòu)了多少臺(tái)新機(jī)器。
Tichelman 說(shuō),新的高 NA EUV 工具從 0.33 光圈鏡頭轉(zhuǎn)變?yōu)楦?xì)膩的 0.55 光圈,從而實(shí)現(xiàn)了更高分辨率的操作。
據(jù)悉,更高的孔徑可使得機(jī)器內(nèi)部產(chǎn)生更寬的 EUV 光束,然后撞擊晶圓時(shí)產(chǎn)生的強(qiáng)度就越大,從而提高蝕刻線條的精確度。這反過(guò)來(lái)又可以實(shí)現(xiàn)更精細(xì)的形狀和更小的間距,從而增加晶體管密度。
Gartner 半導(dǎo)體分析師 Alan Priestley 稱(chēng),ASML 的新機(jī)器將允許芯片制造商制造 3nm 以下的芯片。目前世界上最先進(jìn)的芯片都在 3nm 及以上。
Priestley 補(bǔ)充說(shuō),高 NA 機(jī)器將耗資約 3 億美元(超 19 億人民幣),是現(xiàn)有 EUV 機(jī)器的兩倍,并且它們還需要更復(fù)雜的新鏡頭技術(shù)。
芯片是如何制造的
芯片通常是由一個(gè)晶圓片上的 100-150 個(gè)硅層組成,只有最復(fù)雜的設(shè)計(jì)才會(huì)需要 EUV 機(jī)器,目前大部分芯片都可以用 DUV 機(jī)器制造。當(dāng)然,ASML 也制造其他工具。
正如上面提到的,這是全球頂尖供應(yīng)鏈合作的產(chǎn)物,往往每一臺(tái) EUV 機(jī)器都需要數(shù)年時(shí)間才能完成,而 ASML 一年只能出貨這么多。從財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)來(lái)看,它去年僅售出了 31 部,而且這么多年總共只生產(chǎn)了 100 部左右。
埃森哲 (Accenture) 全球半導(dǎo)體主管 Syed Alam 表示:“與傳統(tǒng)的 EUV 機(jī)器相比,High NA 機(jī)器可提供更大的透鏡,也就能夠刻出更精細(xì)的圖案,從而能夠高效地量產(chǎn)更強(qiáng)的芯片?!?/p>
他透露:“芯片制造商不得不依賴(lài)雙重或三重模式,這非常耗時(shí)”“使用高 NA EUV 機(jī)器,他們能夠在一層上直接完成這些功能,從而實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的周期和工藝靈活性?!?/p>
Alam 表示,芯片制造商也因此必須在更好的性能和更高的成本之間進(jìn)行權(quán)衡“這對(duì)于高分辨率的 EUV 機(jī)器來(lái)說(shuō)尤其如此,因?yàn)榇箸R頭也就意味著更高的采購(gòu)成本和維護(hù)成本。”
在上月的 ITF 大會(huì)上,半導(dǎo)體行業(yè)大腦 imec(比利時(shí)微電子研究中心)公布的藍(lán)圖顯示,2025 年后晶體管進(jìn)入埃米尺度(?,angstrom,1 埃 = 0.1 納米),其中 2025 對(duì)應(yīng) A14(14?=1.4 納米),2027 年為 A10(10?=1nm)、2029 年為 A7(7?=0.7 納米)。
當(dāng)時(shí) imec 就表示,除了新晶體管結(jié)構(gòu)、2D 材料,還有很關(guān)鍵的一環(huán)就是 EUV 光刻機(jī)。其透露,0.55NA 的下代 EUV 光刻機(jī)一號(hào)試做機(jī)(EXE:5000)會(huì)在 2023 年由 ASML 提供給 imec,2026 年量產(chǎn)。
據(jù)悉,相較于當(dāng)前 0.33NA 的 EUV 光刻機(jī),0.55NA 有了革命性進(jìn)步,它能允許蝕刻更高分辨率的圖案。